Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (1)Реферативна база даних (17)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Dmitruk N$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
1.

Dmitruk N. L. 
Effect of chemical modification of thin C60 fullerene films on the fundamental absorption edge [Електронний ресурс] / N. L. Dmitruk, O. Yu. Borkovskaya, T. S. Havrylenko, D. O. Naumenko, P. Petrik, V. Meza-Laguna, E. V. Basiuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 180-185. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_17
Fullerene C60 films were grown using physical vapor deposition on Si substrates at room temperature. Then chemical modification with cross-linking these films was performed using the reaction with 1,8-octanediamine (DA) or octane-1,8-dithiol (DT). These chemically cross-linked C60 films are capable of stable binding the Ag or Au nanoclusters. Optical properties of the obtained nanostructured hybrid films were investigated by both reflectance spectroscopy and spectral ellipsometry within the spectral range 1,55 to 5,0 eV at various angles of incidence. From the spectral dependences of the extinction coefficient in the region of optical absorption edge, the physical nature of the fundamental allowed direct band-gap transitions between HOMO-LUMO states <$E E sub g>, the optical absorption edge near the intrinsic transition <$E E sub o>, and exponential tail of the density-of-states caused by defects have been determined. Influence of chemical modification and decoration of metal nanoparticles on the above mentioned parameters has been analyzed.
Попередній перегляд:   Завантажити - 355.191 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Dmitruk N. L. 
Optical efficiency of Ag and Au nanoparticles [Електронний ресурс] / N. L. Dmitruk, S. Z. Malynych, I. E. Moroz, V. Yu. Kurlyak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 4. - С. 369-373. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_4_10
In this paper, we present the results of calculations aimed at the optical radiation efficiency of Ag and Au nanoparticles, which is defined by the ratio of the scattering cross-section to the extinction one. The calculations were performed using Mie theory formalism for surrounding medium of various refractive indexes. It has been shown that silver nanoparticles exhibit substantially larger optical efficiency in a broad spectral range as compared to gold nanoparticles. The optical efficiency for silver nanoparticles with diameters over 90 nm exceeds 90 %.
Попередній перегляд:   Завантажити - 350.408 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Dmitruk N. L. 
Effect of nanosize metal overlayer on C60 thin film optical parameters near fundamental absorption edge [Електронний ресурс] / N. L. Dmitruk, O. Yu. Borkovskaya, D. O. Naumenko, T. S. Havrylenko, E. Basiuk, E. M. Shpilevsky // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 61-64. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_16
Попередній перегляд:   Завантажити - 184.615 Kb    Зміст випуску     Цитування
4.

Dmitruk N. L. 
Au/GaAs photovoltaic structures with single-wall carbon nanotubes on the microrelief interface [Електронний ресурс] / N. L. Dmitruk, O. Yu. Borkovskaya, S. V. Mamykin, T. S. Havrylenko, I. B. Mamontova, N. V. Kotova, E. V. Basiuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 1. - С. 31-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_1_7
The effect of single-wall carbon nanotubes nanolayer on photoelectric properties of Au/n-GaAs photovoltaic structure with a microrelief interface has been investigated. Microrelief interfaces of dendrite-like and quasi-grating type aimed at enhancement of photocurrent have been prepared by the wet chemical anisotropic etching of GaAs. Carbon nanotubes obtained using the arc-discharge method were deposited on GaAs surface modified with poly(vinylpyridine) by dip-coating repeated several times. Optical, photoelectric and electrical properties of Au/GaAs structures have been studied in dependence on the averaged thickness of nanotubes nanolayer. Considerable photocurrent enhancement has been determined for structures with both the flat and textured interface but with a different optimal thickness of nanotubes layer. The effect was concluded to be caused by increasing the lateral photocurrent component due to enlargement of the current collection area and increase of the light trapping.
Попередній перегляд:   Завантажити - 436.182 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Dmitruk N. 
Modification of optical properties of porous AIIIBV layers produced by anodic etching [Електронний ресурс] / N. Dmitruk, N. Berezovska, I. Dmitruk, V. Serdyuk, J. Sabataityte, I. Simkiene // Ukrainian journal of physics. - 2012. - Vol. 57, № 2. - С. 145-153. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2012_57_2_10
Дослідження морфології поверхні (за допомогою атомно-силової мікроскопії та сканувальної електронної мікроскопії), комбінаційного розсіювання світла (КРС) і фотолюмінесценції (ФЛ) проведено з метою охарактеризувати серію матеріалів типу A<^>IIIB<^>V (GaAs, GaP, InP) з пористою поверхнею, одержаною за допомогою методу електрохімічного травлення. Показано, що морфологія поверхні пористих шарів сполук A<^>IIIB<^>V суттєво залежить від різних параметрів процесу анодування, таких як час травлення, щільність струму, склад розчину травника та наявність освітлення під час травлення. Підсилення сигналу в спектрах КРС від пористої поверхні спостерігається майже у всіх досліджених зразках, що пояснюється, головним чином, порушенням правил відбору для відповідних фононних мод і зменшенням відбивання від пористої поверхні. Особливості спектрів ФЛ пористих сполук A<^>IIIB<^>V вивчено в широкому температурному діапазоні. Для пористих поверхонь GaAs і InP спостережено незначний квантово-розмірний ефект.
Попередній перегляд:   Завантажити - 711.181 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Dmitruk N. 
Modification of optical properties of porous AIIIBV layers produced by anodic etching [Електронний ресурс] / N. Dmitruk, N. Berezovska, I. Dmitruk, V. Serdyuk, J. Sabataityte, I. Simkiene // Український фізичний журнал. - 2012. - Т. 57, № 2. - С. 145-153. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2012_57_2_10
Дослідження морфології поверхні (за допомогою атомно-силової мікроскопії та сканувальної електронної мікроскопії), комбінаційного розсіювання світла (КРС) і фотолюмінесценції (ФЛ) проведено з метою охарактеризувати серію матеріалів типу A<^>IIIB<^>V (GaAs, GaP, InP) з пористою поверхнею, одержаною за допомогою методу електрохімічного травлення. Показано, що морфологія поверхні пористих шарів сполук A<^>IIIB<^>V суттєво залежить від різних параметрів процесу анодування, таких як час травлення, щільність струму, склад розчину травника та наявність освітлення під час травлення. Підсилення сигналу в спектрах КРС від пористої поверхні спостерігається майже у всіх досліджених зразках, що пояснюється, головним чином, порушенням правил відбору для відповідних фононних мод і зменшенням відбивання від пористої поверхні. Особливості спектрів ФЛ пористих сполук A<^>IIIB<^>V вивчено в широкому температурному діапазоні. Для пористих поверхонь GaAs і InP спостережено незначний квантово-розмірний ефект.
Попередній перегляд:   Завантажити - 711.181 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
7.

Bacherikov Yu. Yu. 
Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates [Електронний ресурс] / Yu. Yu. Bacherikov, N. L. Dmitruk, R. V. Konakova, O. F. Kolomys, O. B. Okhrimenko, V. V. Strelchuk, O. S. Lytvyn, L. M. Kapitanchuk, A. M. Svetlichnyi // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 2. - С. 200-205. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_2_16
The comparative analysis of optical characteristics inherent to TiO2/SiC and TiO2/por-SiC/SiC structures has been performed. It has been shown that, in these structures regardless of the substrate structure, formation of TiO2 layers with approximately the same width 60 nm takes place. In this case the TiO2 film composition is close to the stoichiometric one. At the same time, the presence of an additional porous layer in the TiO2/por-SiC/SiC structure leads to blurring the oxide film - substrate interface but promotes an increase in the intensity of the Raman scattering signal from the oxide film.
Попередній перегляд:   Завантажити - 659.987 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського